與臺積電和英特爾一樣，三星集團也是要在美國新建芯片制造設施的三家企業之一。WCCFTech 指出，目前三星正處于評估不同城市設施配套狀況的選址階段。此外據韓媒報道，三星副董事長李在镕最早將于下周前往美國，以敲定最終價值 170 億美元的芯片制造工廠的廠址。

德克薩斯州奧斯汀工廠（圖自：Samsung 官網）

消息稱，三星將在德克薩斯州、亞利桑那州和紐約州三地之中選建新芯片制造工廠。自今年 3 月以來，相關審議工作一直在緩慢地推進。

當時恰逢奧斯汀工廠遭遇停電危機，于是三星向當局呈遞了一份新提案，要求為新工廠建設提供稅收優惠。但也正是在這份文件中，三星概述了要將紐約州和亞利桑那州納入備選。

如果順利建成，新工廠有望用上先進的 3nm 半導體制造工藝。目前處于 5nm 領先地位的臺積電，亦計劃明年開始量產下一代 3nm 工藝。

（圖自：Samsung Electronics）

不過三星和臺積電并不是一條道上的選手，因為兩家公司選擇了不同的晶體管設計方案。臺積電堅持傳統 FinFET，而三星計劃采用 2018 年與 IBM 聯合開發的 GAAFET 。

韓聯社指出，李在镕預計最早下周訪問美國，但目前三星方面尚未確認該高管的行程。在因受賄罪入獄七個月后，其目前正處于假釋階段。

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